یکی از کوچکترین ترانزیستور های حاوی نانولوله کربنی ساخته شد

به گزارش سایت قطره و به نقل ازگروه دانشگاه خبرگزاری دانشجو، محققان دانشگاه پکن با همکاری چند گروه تحقیقاتی دیگر موفق شده اند نانولوله های کربنی را در FET (ترانزیستور اثر میدانی) در مقیاس 90 نانومتری کوچک سازی کنند، - محققان دانشگاه پکن با همکاری چند گروه تحقیقاتی دیگر موفق شده اند نانولوله های کربنی را در FET (ترانزیستور اثر میدانی) در مقیاس 90 نانومتری کوچک سازی کنند، متراکم ترین مقیاسی که تاکنون برای چنین کاری به دست آمده است.

به گزارش سایت قطره و به نقل ازگروه دانشگاه خبرگزاری دانشجو، محققان دانشگاه پکن با همکاری چند گروه تحقیقاتی دیگر موفق شده اند نانولوله های کربنی را در FET (ترانزیستور اثر میدانی) در مقیاس 90 نانومتری کوچک سازی کنند، متراکم ترین مقیاسی که تاکنون برای چنین کاری به دست آمده است.

این نتایج مسیر ارائه گره های نیمه رسانای 10 نانومتری را هموار می کند.

نتایج این تحقیق در Nature Electronics منتشر شده است و در آن کوچک سازی یک FET مبتنی بر لوله های کربنی در مقیاس بسیار پایین نشان داده شده است.

چنین دستاوردی می تواند به چین کمک کند تا فناوری تولید خود را به گونه ای مدرن سازی کند که از آن در برابر تحریم های فناوری آمریکا محافظت کند.

نانولوله های کربنی یکی از امیدوارکننده ترین گزینه ها برای طراحی ترانزیستور است که می تواند سرعت سوییچینگ سریع تر (فرکانس های عملیاتی با�